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AP Tech離子源, 冷場發射器 濺射陰極

簡要描述:AP Tech離子源, 冷場發射器 濺射陰極
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  • 產品型號:CFE冷陰極
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2025-12-20
  • 訪  問  量:782
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與熱離子和熱場發射器不同,CFE在室溫下工作。當電子響應于強電場的施加而發射時,就會發生場發射。為了實現這種高場,單晶鎢被蝕刻到顯微鏡下鋒利。CFE是非常高亮度的光源,因此在需要高電流密度和可以實現真空條件的應用中表現出色。

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在APT,我們在內部種植和加工自己的單晶鎢。我們的蝕刻工藝可以根據客戶的要求進行定制,并受到嚴格控制,以確保質量和一致性。APT可以為CFE提供任何發射極-基極/抑制器配置,包括FEI/Philips、Denka、Hitachi、JEOL和自定義配置。

使用此圖表可比較我們的 TE、CFE 和 TFE 離子源的一般操作要求和性能規格。

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AP Tech 鋯鎢(ZrOW)熱場發射器(TFE)原理

熱場發射器(TFE)被加熱,就像熱離子發射器一樣,但也被電化學蝕刻,具有微觀上鋒利,類似于冷場發射器的方式。在工作過程中,由于發射極的銳度及其對抑制器的定向,在源端產生了非常高的電場。電場對勢壘的降低和通過加熱提供給電子的熱能產生了一個能夠以非交叉模式(或虛擬源模式)工作的源。因此,與熱離子發射器不同,tfe不受空間電荷限制,并且比典型的熱離子源亮幾個數量級。APT現在提供鋯鎢熱場發射器(ZrOW TFE),俗稱肖特基源。ZrOW TFE是電子束應用的行業標準發射器,需要高亮度,提高空間分辨率,穩定發射和長壽命。我們的ZrOW源滿足一般OEM性能規格和操作參數,并且可以使用定制的端形(半徑)幾何形狀和任何發射器底座/抑制器配置(包括FEI/Philips, Denka,日立,JEOL或定制配置)制造。



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